| 部品番号 | IXFH80N65X2-4 |
|---|---|
| メーカ | IXYS |
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| メーカ | IXYS |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | HiPerFET™, Ultra X2 |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 4mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8300 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 890W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 38mOhm @ 500mA, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 |
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