| 部品番号 | IXFH9N80Q |
|---|---|
| メーカ | IXYS |
| 説明 | MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 |
| データシート | |
| パッケージ | TO-247-3 |
| ECAD |
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| 在庫 | 5,072 piece(s) |
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| メーカ | IXYS |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | TO-247-3 |
| ECAD |
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| シリーズ | HiPerFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 800V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 2.5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 56nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2200pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 180W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.1 Ohm @ 500mA, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD (IXFH) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IXFH9N80Q |
IXYS Corporation |
MOSFET 9 Amps 800V 1.1 Rds |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IXFH9N80Q D# IXFH9N80Q-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IXFH9N80Q |
VBsemi Electronics Co Ltd |
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1000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IXFH9N80Q |
IXYS Corporation |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
8120 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IXFH9N80Q D# NS-IXFH9N80Q |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
3644 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IXFH9N80Q |
IXYS Corporation |
RFQ |
654 |
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