| 部品番号 | IXFN50N120SK |
|---|---|
| メーカ | IXYS |
| 説明 | SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| メーカ | IXYS |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 48A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 20V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.8V @ 10mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 115 nC @ 20 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1895 pF @ 1000 V |
| Vgs（最大） | +20V, -5V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 52mOhm @ 40A, 20V |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
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