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IXTP1R4N60P

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部品番号 IXTP1R4N60P
メーカ IXYS
説明 MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
データシート IXTP1R4N60P データシート
パッケージ TO-220-3
在庫 17,244 piece(s)
単価 $ 1.0780 *
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IXTP1R4N60Pの仕様

メーカIXYS
範疇ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
データシート IXTP1R4N60Pデータシート
パッケージTO-220-3
シリーズPolarHV?
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)1.4A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)10V
Vgs(th)(Max)@ Id5.5V @ 25µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs5.2nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds140pF @ 25V
Vgs(最大)��30V
FET機能-
消費電力(最大)50W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs9 Ohm @ 700mA, 10V
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤデバイスパッケージTO-220AB
パッケージ/ケースTO-220-3

IXTP1R4N60Pのデータシート

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