| 部品番号 | MG1275S-BA1MM |
|---|---|
| メーカ | Littelfuse Inc. |
| 説明 | IGBT 1200V 105A 630W PKG S |
| データシート | |
| パッケージ | S-3 Module |
| ECAD |
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| 在庫 | 7,248 piece(s) |
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| 推定配達時間 | 2 22 - 2 27 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Littelfuse Inc. |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - IGBT - モジュール |
| パッケージ | S-3 Module |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| IGBTタイプ | - |
| 構成 | Half Bridge |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 1200V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 105A |
| 電力 - 最大 | 630W |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 1.8V @ 15V, 75A (Typ) |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 500µA |
| 入力容量（Cies）@ Vce | 5.52nF @ 25V |
| 入力 | Standard |
| NTCサーミスタ | No |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | S-3 Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | S3 |
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1808Y2500122MDT | Knowles Syfer, CAP CER 1200PF 250V X7R 1808, 1808 (4520 Metric), - | 見る |
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MMBZ5226C-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division, DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3, TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, - | 見る |
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MAPLAD36KP400CA | Microsemi Corporation, TVS DIODE 644VC 56A PLAD, Nonstandard SMD, - | 見る |
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CMF554K1200FKEA | Vishay Dale, RES 4.12K OHM 1/2W 1% AXIAL, Axial, - | 見る |
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MCR10EZHF2212 | Rohm Semiconductor, RES SMD 22.1K OHM 1% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), - | 見る |
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RNCF1210BTE681R | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 681 OHM 0.1% 1/3W 1210, 1210 (3225 Metric), - | 見る |
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116-83-610-41-008101 | Preci-Dip, CONN IC DIP SOCKET 10POS GOLD, -, - | 見る |
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FW-03-05-L-D-380-065-A | Samtec Inc., .050'' BOARD SPACERS, -, - | 見る |
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EW-10-09-G-S-400 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, - | 見る |
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MS27473T24F24PA | Souriau, 8T 24C 12#16 12#12 PLUG, -, - | 見る |
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TVS06RF-23-35SD-LC | Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG HSG FMALE 100POS INLIN, -, - | 見る |
 
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PTH12000WAH | Texas Instruments, MODULE PIP 1.2-5.5V 6A HORZ T/H, 5-DIP Module, - | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MG1275S-BA1MM D# F6495-ND |
Littelfuse Inc |
IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MG1275S-BA1MM D# 576-MG1275S-BA1MM |
Littelfuse Inc |
IGBT Modules 1200V 75A Dual RoHS: Compliant
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78 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MG1275S-BA1MM D# 31Y2593 |
Littelfuse Inc |
IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.2KV, 105A, DC Collector Current:105A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V, Power Dissipation Pd:630W, Junction Temperature, Tj Max:150°C, IGBT Termination:Stud, Product Range:- RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 100
Container: Bulk
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