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| 部品番号 | MSCSM120SKM31CTBL1NG |
|---|---|
| メーカ | Microchip Technology |
| 説明 | PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 81 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 9 22 - 9 27 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Microchip Technology |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
|
| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 79A |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 20V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.8V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 232 nC @ 20 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3020 pF @ 1000 V |
| Vgs（最大） | +25V, -10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 310W |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| パッケージ/ケース | Module |
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