| 部品番号 | MSRT100120D |
|---|---|
| メーカ | GeneSiC Semiconductor |
| 説明 | DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 12 29 - 1 3 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | GeneSiC Semiconductor |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - ダイオード - 整流器 - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| ダイオード構成 | 1 Pair Series Connection |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 1200 V |
| 電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり） | 100A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.1 V @ 100 A |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 10 µA @ 1200 V |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Three Tower |
| サプライヤデバイスパッケージ | Three Tower |
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