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| 部品番号 | MT44K64M18RB-107E:A |
|---|---|
| メーカ | Micron Technology Inc. |
| 説明 | IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 3,088 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 2 5 - 2 10 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Micron Technology Inc. |
| 範疇 | 集積回路（IC） - メモリ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | DRAM |
| 技術 | DRAM |
| メモリー容量 | 1.125Gb (64Mb x 18) |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| クロック周波数 | 933MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| アクセス時間 | 8ns |
| 電圧 - 供給 | 1.28 V ~ 1.42 V |
| 動作温度 | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
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2220Y2000271GCR | Knowles Syfer, CAP CER 2220, -, - | 見る |
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1808J6300182MXR | Knowles Syfer, CAP CER 1800PF 630V X7R 1808, 1808 (4520 Metric), - | 見る |
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5KP60A-TP | Micro Commercial Co, TVS DIODE 60VWM 96.8VC R6, R6, Axial, - | 見る |
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RNC55J4021BSB14 | Vishay Dale, RES 4.02K OHM 1/8W .1% AXIAL, Axial, - | 見る |
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RSMF3JT1K20 | Stackpole Electronics Inc., RES 1.2K OHM 3W 5% AXIAL, Axial, - | 見る |
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RT1210DRD0757R6L | Yageo, RES SMD 57.6 OHM 0.5% 1/4W 1210, 1210 (3225 Metric), - | 見る |
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RC3225F7682CS | Samsung, RESISTOR 1210 76.8KOHM 0.33W, -, - | 見る |
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RER75F11R5RCSL | Vishay Dale, RES CHAS MNT 11.5 OHM 1% 30W, Axial, Box, - | 見る |
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ESQT-105-02-F-D-700 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, - | 見る |
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DW-31-12-F-S-770 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, - | 見る |
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4STD09SCM99B30X | Conec, CONN D-SUB RCPT 9POS PNL MNT, -, - | 見る |
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D38999/21HE6PD | TE Connectivity Deutsch Connectors, D38999/21HE6PD, -, - | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E:A D# V36:1790_07351618 |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM3 1.125Gbit 64Mx18 1.35V 168-Pin BGA RoHS: Compliant
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0 |
MT44K64M18RB-107E:A TR D# V36:1790_16950677 |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM3 1.125Gbit 64Mx18 1.35V 168-Pin BGA RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E:A D# MT44K64M18RB-107E:A |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM3 1.125G-bit 64Mx18 1.35V 168-Pin BGA - Trays (Alt: MT44K64M18RB-107E:A) RoHS: Not Compliant
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0 |
MT44K64M18RB-107E:A TR D# MT44K64M18RB-107E:A TR |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM 3 1.125G-bit 64Mx18 168-Pin BGA (Alt: MT44K64M18RB-107E:A TR) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E:A D# MT44K64M18RB-107E:A |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM3 1.125G-bit 64Mx18 1.35V 168-Pin BGA (Alt: MT44K64M18RB-107E:A) |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E:A D# MT44K64M18RB-107E:A-ND |
Micron Technology Inc |
IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA |
0 |
MT44K64M18RB-107E:A TR D# MT44K64M18RB-107E:ATR-ND |
Micron Technology Inc |
IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E:A D# 80AH8079 |
Micron Technology Inc |
DRAM, 64M X 18BIT, 0 TO 95DEG C, DRAM Type:DDR, DRAM Density:1.125Gbit, DRAM Memory Configuration:64M x 18bit, Clock Frequency:1.2GHz, Memory Case Style:BGA, No. of Pins:168Pins, Supply Voltage Nom:1.35V, Access Time:1.07ns RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1190
Container: Bulk
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