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| 部品番号 | MT44K64M18RB-107E:A TR |
|---|---|
| メーカ | Micron Technology Inc. |
| 説明 | IC RLDRAM 1.125GBIT 933MHZ BGA |
| データシート | |
| パッケージ | 168-TBGA |
| ECAD |
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| 在庫 | 6,096 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 6 30 - 7 5 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Micron Technology Inc. |
| 範疇 | 集積回路（IC） - メモリ |
| パッケージ | 168-TBGA |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | DRAM |
| 技術 | DRAM |
| メモリー容量 | 1.125Gb (64Mb x 18) |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| クロック周波数 | 933MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| アクセス時間 | 8ns |
| 電圧 - 供給 | 1.28 V ~ 1.42 V |
| 動作温度 | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 168-TBGA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 168-BGA |
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1825J1K50333KXR | Knowles Syfer, CAP CER 0.033UF 1.5KV X7R 1825, 1825 (4564 Metric), - | 見る |
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TPS78227DRVT | Texas Instruments, IC REG LINEAR 2.7V 150MA 6SON, 6-WDFN Exposed Pad, - | 見る |
 
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APX809-40SAG-7 | Diodes Incorporated, IC MPU RESET CIRC 4.00V SOT23-3, TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, - | 見る |
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MT29F512G08CKCCBH7-6R:C | Micron Technology Inc., IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA, -, - | 見る |
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MT25QL128ABA8E12-1SIT | Micron Technology Inc., IC FLASH 128MBIT 133MHZ 24TBGA, 24-TBGA, - | 見る |
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RCS0603360KFKEA | Vishay Dale, RES SMD 360K OHM 1% 1/4W 0603, 0603 (1608 Metric), - | 見る |
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1213-0-05-01-00-00-01-0 | Mill-Max Manufacturing Corp., CONN PC PIN SQUARE 0.025 TINLEAD, -, - | 見る |
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1953392 | Phoenix Contact, TERM BLOCK HDR 40POS 90DEG 3.5MM, -, - | 見る |
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MS17348R18C1S | Amphenol Industrial Operations, CONN RCPT 10POS JAM NUT SKT, -, - | 見る |
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CA3106F16S-1SF80A176A206 | ITT Cannon, LLC, CONN PLUG 7POS INLINE W/SKTS, -, - | 見る |
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V110C28H100BS3 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W, Quarter Brick, - | 見る |
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TPS254900AIRVCRQ1 | Texas Instruments, ADVANCED FUNCTION USB POWER SWIT, 20-WFQFN Exposed Pad, - | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E:A D# V36:1790_07351618 |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM3 1.125Gbit 64Mx18 1.35V 168-Pin BGA RoHS: Compliant
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0 |
MT44K64M18RB-107E:A TR D# V36:1790_16950677 |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM3 1.125Gbit 64Mx18 1.35V 168-Pin BGA RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E:A D# MT44K64M18RB-107E:A |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM3 1.125G-bit 64Mx18 1.35V 168-Pin BGA - Trays (Alt: MT44K64M18RB-107E:A) RoHS: Not Compliant
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0 |
MT44K64M18RB-107E:A TR D# MT44K64M18RB-107E:A TR |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM 3 1.125G-bit 64Mx18 168-Pin BGA (Alt: MT44K64M18RB-107E:A TR) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E:A D# MT44K64M18RB-107E:A |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM3 1.125G-bit 64Mx18 1.35V 168-Pin BGA (Alt: MT44K64M18RB-107E:A) |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E:A TR D# MT44K64M18RB-107E:ATR-ND |
Micron Technology Inc |
IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA |
0 |
MT44K64M18RB-107E:A D# MT44K64M18RB-107E:A-ND |
Micron Technology Inc |
IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E:A D# 80AH8079 |
Micron Technology Inc |
DRAM, 64M X 18BIT, 0 TO 95DEG C, DRAM Type:DDR, DRAM Density:1.125Gbit, DRAM Memory Configuration:64M x 18bit, Clock Frequency:1.2GHz, Memory Case Style:BGA, No. of Pins:168Pins, Supply Voltage Nom:1.35V, Access Time:1.07ns RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1190
Container: Bulk
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