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| 部品番号 | MT44K64M18RB-107E IT:A |
|---|---|
| メーカ | Micron Technology Inc. |
| 説明 | IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 3,248 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 2 11 - 2 16 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Micron Technology Inc. |
| 範疇 | 集積回路（IC） - メモリ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | DRAM |
| 技術 | DRAM |
| メモリー容量 | 1.125Gb (64Mb x 18) |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| クロック周波数 | 933MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| アクセス時間 | 8ns |
| 電圧 - 供給 | 1.28 V ~ 1.42 V |
| 動作温度 | -40°C ~ 95°C (TC) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
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SIT8208AC-83-28E-33.600000X | SiTime, -20 TO 70C, 7050, 50PPM, 2.8V, 3, -, - | 見る |
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SIT1602BC-12-28N-8.192000D | SiTime, -20 TO 70C, 2520, 25PPM, 2.8V, 8, -, - | 見る |
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2225J2500562FCR | Knowles Syfer, CAP CER 2225, -, - | 見る |
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1206J2503P30CFR | Knowles Syfer, CAP CER 3.3PF 250V C0G/NP0 1206, 1206 (3216 Metric), - | 見る |
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RFN1L7STE25 | Rohm Semiconductor, DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS, DO-214AC, SMA, - | 見る |
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20-101-1322 | Digi International, RF TXRX MODULE WIFI, Module, - | 見る |
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RNCS0603BTE15K0 | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 15K OHM 0.1% 1/16W 0603, 0603 (1608 Metric), - | 見る |
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TXR54SJ45-2818AI | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine, CONN BACKSHELL ADPT SZ 28, -, - | 見る |
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10-074696-013 | Amphenol Industrial Operations, ER 8 TO 16 REDUCTION SLEEVE, -, - | 見る |
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RWS600B24/CO2 | TDK-Lambda Americas Inc., AC/DC CONVERTER 24V 600W, -, - | 見る |
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VI-J2M-MZ-F2 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 10V 25W, Half Brick, - | 見る |
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VE-B63-CU-F3 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 24V 200W, Full Brick, - | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E IT:A D# V36:1790_17526436 |
Micron Technology Inc |
1.125Gb RLDRAM SDRAM |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E IT:A TR D# MT44K64M18RB-107E IT:A TR |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM 3 1.125G-Bit 64M x 18 1.35V/2.5V 168-Pin BGA T/R (Alt: MT44K64M18RB-107E IT:A TR) RoHS: Compliant
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0 |
MT44K64M18RB-107E IT:A D# MT44K64M18RB-107E IT:A |
Micron Technology Inc |
RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA - Trays (Alt: MT44K64M18RB-107E IT:A) RoHS: Not Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E IT:A TR D# MT44K64M18RB-107E IT:A TR |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM 3 1.125G-Bit 64M x 18 1.35V/2.5V 168-Pin BGA T/R (Alt: MT44K64M18RB-107E IT:A TR) |
0 |
MT44K64M18RB-107E IT:A D# MT44K64M18RB-107E IT:A |
Micron Technology Inc |
RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA (Alt: MT44K64M18RB-107E IT:A) |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E IT:A TR D# MT44K64M18RB-107EIT:ATR-ND |
Micron Technology Inc |
IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA |
0 |
MT44K64M18RB-107E IT:A D# MT44K64M18RB-107EIT:A-ND |
Micron Technology Inc |
IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT44K64M18RB-107E IT:A D# 80AH8078 |
Micron Technology Inc |
DRAM, 64M X 18BIT, -40 TO 95DEG C, DRAM Type:DDR, DRAM Density:1.125Gbit, DRAM Memory Configuration:64M x 18bit, Clock Frequency:1.2GHz, Memory Case Style:BGA, No. of Pins:168Pins, Supply Voltage Nom:1.35V, Access Time:1.07ns RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1190
Container: Bulk
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