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| 部品番号 | MT46V16M16CY-5B AAT:M |
|---|---|
| メーカ | Micron Technology Inc. |
| 説明 | IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60FBGA |
| データシート | |
| パッケージ | 60-TFBGA |
| ECAD |
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| 在庫 | 5,904 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 1 28 - 2 2 (迅速な出荷を選択) |
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| 配達サービス |
| メーカ | Micron Technology Inc. |
| 範疇 | 集積回路（IC） - メモリ |
| パッケージ | 60-TFBGA |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | DRAM |
| 技術 | SDRAM - DDR |
| メモリー容量 | 256Mb (16M x 16) |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| クロック周波数 | 200MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 15ns |
| アクセス時間 | 700ps |
| 電圧 - 供給 | 2.5 V ~ 2.7 V |
| 動作温度 | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 60-TFBGA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 60-FBGA (8x12.5) |
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653V20006C2T | CTS-Frequency Controls, OSC LVDS SMD, 6-SMD, No Lead, - | 見る |
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SIT8209AI-2F-33E-212.500000X | SiTime, -40 TO 85C, 3225, 10PPM, 3.3V, 2, -, - | 見る |
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CA-301 55.0000M-C | EPSON, CRYSTAL 55.0000MHZ 18PF T/H, Cylindrical Can, Radial, - | 見る |
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C901U120JYNDAAWL20 | KEMET, CAP CER 12PF 400VAC C0G/NP0 RAD, Radial, Disc, - | 見る |
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2225Y0500473JXR | Knowles Syfer, CAP CER 2225, -, - | 見る |
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1206Y1K20332KXT | Knowles Syfer, CAP CER 3300PF 1.2KV X7R 1206, 1206 (3216 Metric), - | 見る |
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S-1312C20-A4T1U3 | SII Semiconductor Corporation, IC REG LINEAR 150MA HSNT4-A, 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad, - | 見る |
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MC100EP32DTG | ON Semiconductor, IC DIVIDER DIV X2 ECL CLK 8TSSOP, 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), - | 見る |
 
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LM324KAPWR | Texas Instruments, IC OPAMP GP 1.2MHZ 14TSSOP, 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), - | 見る |
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DS12887A | Maxim Integrated, IC RTC CLK/CALENDAR PAR 24-EDIP, 24-DIP Module (0.600", 15.24mm), - | 見る |
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RWR89S3481FSBSL | Vishay Dale, RES 3.48K OHM 3W 1% WW AXIAL, Axial, - | 見る |
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FTMH-110-02-LM-DH | Samtec Inc., 1MM MICRO TERMINAL STRIPS, -, - | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT46V16M16CY-5B AAT:M D# V36:1790_07226789 |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V Automotive 60-Pin FBGA RoHS: Compliant
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR |
Micron Technology Inc |
IC DDR SDRAM 256MBIT 5NS 60FBGA |
0 |
MT46V16M16CY-5B AAT:M |
Micron Technology Inc |
16MX16 DDR SDRAM PLASTIC AUTOMOTIVE TEMP PBF FBGA 2.5V - Trays |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR D# 557-1914-2-ND |
Micron Technology Inc |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA |
0 |
MT46V16M16CY-5B AAT:M D# MT46V16M16CY-5BAAT:M-ND |
Micron Technology Inc |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT46V16M16CY-5B AAT:M |
Micron Technology Inc |
Stock |
400 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT46V16M16CY5BAATM |
Micron Technology Inc |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
58000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR D# 340-128016-REEL |
Micron Technology Inc |
DRAM DDR 256M 16MX16 FBGA RoHS: Compliant
|
965 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT46V16M16CY-5B AAT:M D# 80AH8100 |
Micron Technology Inc |
DRAM, 16M X 16BIT, -40 TO 105DEG C, DRAM Type:DDR, DRAM Density:256Mbit, DRAM Memory Configuration:16M x 16bit, Clock Frequency:200MHz, Memory Case Style:FBGA, No. of Pins:60Pins, Supply Voltage Nom:2.5V, Access Time:5ns RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1368
Container: Bulk
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT46V16M16CY-5B AAT:M D# NS-MT46V16M16CY-5B AAT:M |
Micron Technology Inc |
OEM/CM ONLY |
9871 |
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR D# NS-MT46V16M16CY-5B AAT:M TR |
Micron Technology Inc |
OEM/CM ONLY |
8779 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT46V16M16CY5B AAT:M |
Micron Technology Inc |
OEM/CM ONLY |
416 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT46V16M16CY-5B AAT:M |
Micron Technology Inc |
RFQ |
5702 |
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