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部品番号 | MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR |
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メーカ | Micron Technology Inc. |
説明 | IC DRAM LPDDR4 WFBGA |
データシート | |
パッケージ | - |
ECAD |
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在庫 | 7,408 piece(s) |
単価 | Request a Quote |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256M X 32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA T/R (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR) RoHS: Compliant
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0 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B |
Micron Technology Inc |
DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT - Trays (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B) RoHS: Compliant
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B |
Micron Technology Inc |
DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B) RoHS: Compliant
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B |
Micron Technology Inc |
DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B) |
0 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256M X 32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA T/R (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR D# MT53E256M32D2DS-046AAT:BTR-ND |
Micron Technology Inc |
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
0 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# MT53E256M32D2DS-046AAT:B-ND |
Micron Technology Inc |
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B |
Micron Technology Inc |
Available |
950 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# XSKDRABS0024599 |
Micron Technology Inc |
DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT |
844 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# 80AH8360 |
Micron Technology Inc |
DRAM, 256M X 32BIT, -40 TO 105DEG C, DRAM Type:LPDDR4, DRAM Density:8Gbit, DRAM Memory Configuration:256M x 32bit, Clock Frequency:2.133GHz, Memory Case Style:WFBGA, No. of Pins:200Pins, Supply Voltage Nom:1.1V, Access Time:468ps RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1360
Container: Bulk
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