| 部品番号 | NC1M120C75HTNG |
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| メーカ | NextGen Components |
| 説明 | SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| メーカ | NextGen Components |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | NC1M |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 47A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 20V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.8V @ 5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1450 pF @ 1000 V |
| Vgs（最大） | +20V, -5V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 288W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 75mOhm @ 20A, 20V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 |
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