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部品番号 | NGTB10N60R2DT4G |
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メーカ | ON Semiconductor |
説明 | IGBT 10A 600V DPAK |
データシート | |
パッケージ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ECAD |
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在庫 | 7,824 piece(s) |
単価 | Request a Quote |
リードタイム | すぐに出荷可能 |
推定配達時間 | 2 11 - 2 16 (迅速な出荷を選択) |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G D# V36:1790_07310750 |
ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 72000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G D# NGTB10N60R2DT4G |
ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin DPAK T/R - Bulk (Alt: NGTB10N60R2DT4G) RoHS: Compliant
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G D# NGTB10N60R2DT4G |
ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin DPAK T/R (Alt: NGTB10N60R2DT4G) RoHS: Compliant
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G D# NGTB10N60R2DT4G |
ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin DPAK T/R (Alt: NGTB10N60R2DT4G) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G |
ON Semiconductor |
600V 20A 7V @ 160uA 2.1V @ 15V,10A TO-252-2(DPAK) IGBTs RoHS |
2599 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G D# 2156-NGTB10N60R2DT4G-OS-ND |
Rochester Electronics LLC |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
2630 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G |
ON Semiconductor |
In stock shipping within 2days |
856 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G D# 2492866RL |
ON Semiconductor |
IGBT, SINGLE, 600V, 20A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G |
ON Semiconductor |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
267264 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G D# C146762 |
ON Semiconductor | 2599 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G |
ON Semiconductor |
OEM/CM Immediate delivery |
537 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G D# 863-NGTB10N60R2DT4G |
ON Semiconductor |
IGBT Transistors RC2 IGBT 10A 600V DPAK RoHS: Compliant
|
1411 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G D# XSKDRABS0107722 |
ON SEMICONDUCTOR |
DPAK 3/IGBT, 600V, 10A, N-Channel |
2500 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G D# 45Y1416 |
ON Semiconductor |
IGBT, SINGLE, 600V, 20A, TO-252-3, DC Collector Current:20A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:72W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V, No. of Pins:3Pins, Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G |
ON Semiconductor |
Insulated Gate Bipolar Transistor RoHS: Compliant
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2630 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
7516 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G |
ON Semiconductor |
IN stock Immediate delivery |
532 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G |
RALINK |
shipping today |
177 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
NGTB10N60R2DT4G D# 30280633 |
ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 72000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
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