| 部品番号 | NTE3310 |
|---|---|
| メーカ | NTE Electronics, Inc |
| 説明 | IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 11 19 - 11 24 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | NTE Electronics, Inc |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - IGBT - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| IGBTタイプ | - |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600 V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 15 A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 30 A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 4V @ 15V, 15A |
| 電力 - 最大 | 100 W |
| スイッチングエネルギー | - |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | - |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 400ns/500ns |
| テスト条件 | - |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P |
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