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| 部品番号 | NTH4L030N120M3S |
|---|---|
| メーカ | onsemi |
| 説明 | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 960 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 11 3 - 11 8 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | onsemi |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 73A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 18V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.4V @ 15mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 107 nC @ 18 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2430 pF @ 800 V |
| Vgs（最大） | +22V, -10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 313W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 39mOhm @ 30A, 18V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 |
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