| 部品番号 | PDTA123JQBZ |
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| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 説明 | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 15,000 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 1 2 - 1 7 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
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| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| トランジスタタイプ | PNP - Pre-Biased |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100 mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 50 V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47 kOhms |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100nA |
| 周波数 - 遷移 | 180 MHz |
| 電力 - 最大 | 340 mW |
| 取付タイプ | Surface Mount, Wettable Flank |
| パッケージ/ケース | 3-XDFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN1110D-3 |
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