| 部品番号 | PMPB08R6ENX |
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| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 7,344 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 10 16 - 10 21 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchMOS™ |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 20.6 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 840 pF @ 15 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 10.5mOhm @ 11A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN2020MD-6 |
| パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad |
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