| 部品番号 | PSMN1R9-40YSBX |
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| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 説明 | PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.6V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6297 pF @ 20 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | Schottky Diode (Body) |
| 消費電力（最大） | 194W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.9mOhm @ 25A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | LFPAK56, Power-SO8 |
| パッケージ/ケース | SC-100, SOT-669 |
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