| 部品番号 | RGT8NS65DGC9 |
|---|---|
| メーカ | Rohm Semiconductor |
| 説明 | IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 2,895 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 2 14 - 2 19 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Rohm Semiconductor |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - IGBT - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 650 V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 8 A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 12 A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| 電力 - 最大 | 65 W |
| スイッチングエネルギー | - |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 13.5 nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 17ns/69ns |
| テスト条件 | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | 40 ns |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 |
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