| 部品番号 | RJ1P10BBHTL1 |
|---|---|
| メーカ | Rohm Semiconductor |
| 説明 | NCH 100V 105A, TO-263AB, POWER M |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| メーカ | Rohm Semiconductor |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 105A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8600 pF @ 50 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 189W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3mOhm @ 90A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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