| 部品番号 | RN1112MFV-L3F |
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| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 説明 | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 24,000 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 11 22 - 11 27 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| トランジスタタイプ | NPN - Pre-Biased |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100 mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 50 V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100nA (ICBO) |
| 周波数 - 遷移 | - |
| 電力 - 最大 | 150 mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-723 |
| サプライヤデバイスパッケージ | VESM |
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