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| 部品番号 | RN1709JE-TE85L-F |
|---|---|
| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 説明 | NPN X 2 BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER=2 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 300 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 1 15 - 1 20 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| トランジスタタイプ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22kOhms |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 500nA |
| 周波数 - 遷移 | 250MHz |
| 電力 - 最大 | 100mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-553 |
| サプライヤデバイスパッケージ | ESV |
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