| 部品番号 | RQ3E110AJTB |
|---|---|
| メーカ | Rohm Semiconductor |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 41,604 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 1 23 - 1 28 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Rohm Semiconductor |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta), 24A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 2.5V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 13.5 nC @ 4.5 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 11.7mOhm @ 11A, 4.5V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSMT (3.2x3) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
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