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| 部品番号 | RV8C010UNHZGG2CR |
|---|---|
| メーカ | Rohm Semiconductor |
| 説明 | MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 11,526 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 7 3 - 7 8 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Rohm Semiconductor |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
|
| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 40 pF @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1W |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 470mOhm @ 500mA, 4.5V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN1010-3W |
| パッケージ/ケース | 3-XFDFN |
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