| 部品番号 | SCTW35N65G2V |
|---|---|
| メーカ | STMicroelectronics |
| 説明 | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| メーカ | STMicroelectronics |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 45A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 18V, 20V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1370 pF @ 400 V |
| Vgs（最大） | +22V, -10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 240W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V |
| 動作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | HiP247™ |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
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