| 部品番号 | SGB10N60AATMA1 |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | IGBT 600V 20A 92W TO263-3 |
| データシート | |
| パッケージ | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 在庫 | 6,976 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
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| 推定配達時間 | 5 23 - 5 28 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - IGBT - シングル |
| パッケージ | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| IGBTタイプ | NPT |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 20A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 40A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.4V @ 15V, 10A |
| 電力 - 最大 | 92W |
| スイッチングエネルギー | 320µJ |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 52nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 28ns/178ns |
| テスト条件 | 400V, 10A, 25 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
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SIT8209AI-3F-33S-156.250000T | SiTIME, -40 TO 85C, 5032, 10PPM, 3.3V, 1, -, - | 見る |
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0805Y5000330KQT | Knowles Syfer, CAP CER HIGH Q 0805, -, - | 見る |
 
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TLV1117-15CDCY | Texas Instruments, IC REG LIN 1.5V 800MA SOT223-4, TO-261-4, TO-261AA, - | 見る |
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LTC3454EDD#TRPBF | Linear Technology, IC LED DRIVER REGULATOR 1A 10DFN, 10-WFDFN Exposed Pad, - | 見る |
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RNR55H1002FPBSL | Vishay Dale, RES 10K OHM 1/8W 1% AXIAL, Axial, - | 見る |
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MCR18EZHF1784 | Rohm Semiconductor, RES SMD 1.78M OHM 1% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), - | 見る |
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PM1812-6R8J-RC | Bourns Inc., FIXED IND 6.8UH 285MA 1.2 OHM, 1812 (4532 Metric), - | 見る |
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3408-2002 | 3M, CONN HEADER 16POS STR NO LATCH, -, - | 見る |
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EHT-125-01-S-D-SM-26-P | Samtec Inc., 2MM EJECTOR HEADER, -, - | 見る |
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DW-04-13-S-S-825 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, - | 見る |
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RJF6N | Amphenol PCD, CONN MOD PLUG HSG RJ45 SILVER, -, - | 見る |
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MS3126E14-12S | Amphenol Industrial Operations, CONN PLUG 12POS STRAIGHT W/SCKT, -, - | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SGB10N60AATMA1 D# SGB10N60AATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: SGB10N60AATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
SGB10N60A D# SGB10N60A |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: SGB10N60A) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SGB10N60A |
Infineon Technologies AG |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SGB10N60AATMA1 D# 2156-SGB10N60AATMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
IGBT, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N |
5999 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SGB10N60AATMA1 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
8330 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SGB10N60A D# 726-SGB10N60A |
Infineon Technologies AG |
IGBT Transistors FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS: Compliant
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2 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SGB10N60A |
Infineon Technologies AG |
SGB10N60 - Discrete IGBT without Anti-Parallel Diode RoHS: Compliant
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452 |
SGB10N60AATMA1 |
Infineon Technologies AG |
SGB10N60 - Discrete IGBT without Anti-Parallel Diode RoHS: Compliant
|
5999 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SGB10N60A |
mfr |
RFQ |
9665 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SGB10N60A |
Infineon Technologies AG |
Fast IGBT in NPT-technology |
1000 |
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