| 部品番号 | SI1058X-T1-E3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F |
| データシート | |
| パッケージ | SOT-563, SOT-666 |
| ECAD |
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| 在庫 | 4,000 piece(s) |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | SOT-563, SOT-666 |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 2.5V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.55V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 5.9nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 380pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 236mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 91 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-89-6 |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI1058X-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI1058X-T1-E3 D# SI1058X-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI1058X-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
33525 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI1058X-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
33000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI1058X-T1-E3 D# NS-SI1058X-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1528 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI1058X-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
32985 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI1058X-T1-E3 |
Vishay Huntington |
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