* Please refer to the English Version as our Official Version.
| 部品番号 | SI2312BDS-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| データシート | |
| パッケージ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
|
| 在庫 | 1,403,964 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | すぐに出荷可能 |
| 推定配達時間 | 11 17 - 11 22 (迅速な出荷を選択) |
| 見積もりを依頼する |
|
| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
|
| シリーズ | TrenchFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.9A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 850mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 750mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 31 mOhm @ 5A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
|
SIT3822AC-2D-25EZ | SiTime, OSC PROG LVDS 2.5V EN/DS 10PPM, 6-SMD, No Lead, TrenchFET? | 見る |
|
SIT8208AC-8F-28E-16.367667Y | SiTime, -20 TO 70C, 7050, 10PPM, 2.8V, 1, -, TrenchFET? | 見る |
|
|
0805J0500561KFR | Knowles Syfer, CAP CER 560PF 50V C0G/NP0 0805, 0805 (2012 Metric), TrenchFET? | 見る |
|
CCR06CG103FRV | KEMET, CAP CER 10000PF 50V 1% RADIAL, Radial, TrenchFET? | 見る |
|
|
120AFEE | Eaton, FUSE 120AMP 690V AC SEMI, Cylindrical, Blade Terminal (Bolt), TrenchFET? | 見る |
|
|
U21L1PYCQE | C&K, SWITCH TOGGLE DPDT 5A 120V, -, TrenchFET? | 見る |
|
8MA1 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions, BRACKET MOUNT ADJ FOR LRG SWITCH, -, TrenchFET? | 見る |
|
|
RNR55K1911FMBSL | Vishay Dale, RES 1.91K OHM 1/8W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | 見る |
|
|
RER45F59R0RCSL | Vishay Dale, RES CHAS MNT 59 OHM 1% 10W, Axial, Box, TrenchFET? | 見る |
|
GEC03SFBN-M30 | Sullins Connector Solutions, CONN HEADER 3POS .100 SINGLE SMD, -, TrenchFET? | 見る |
|
|
DW-07-10-L-D-200-LL | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, TrenchFET? | 見る |
|
|
5414171-3 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN TNC JACK STR 50 OHM CRIMP, -, TrenchFET? | 見る |
100％の顧客満足度を保証します。
経験豊富なセールスチームとテクニカルサポートチームがすべての顧客を満足させるためにサービスをサポートしています
90日間の保証を提供します。
あなたが受け取ったアイテムが完全な品質でないならば、我々はあなたの払い戻しまたは交換に対して責任があります、しかし、アイテムは彼らの元の状態で返されなければなりません。
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 D# V72:2272_09216793 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 D# SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2312BDS-T1-GE3) |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 D# SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2312BDS-T1-GE3) |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 D# SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2312BDS-T1-GE3) |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 998 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Single N-Channel 20 V 0.031 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3 |
6000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel 20V 3.9A 850mV @ 250uA 31mohms @ 5A,4.5V 750mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS |
9406 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDST1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 RoHS: Compliant
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 D# SI2312BDS-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
55731 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Single N-Channel 20 V 0.031 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
13490 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDST1GE3 |
VISHAY SILICONIX |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
107100 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 D# C10490 |
Vishay Intertechnologies | 9406 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
500000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 D# 781-SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V RoHS: Compliant
|
7976 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 D# XSFP00000063435 |
Vishay Siliconix |
Single N-Channel 20 V 0.031 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3 |
93805 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3. D# 16AC0252 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:3.9A, On Resistance Rds(on):0.025ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:850mV, MSL:- RoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
|
0 |
SI2312BDS-T1-GE3 D# 16P3709 |
Vishay Intertechnologies |
N CHANNEL MOSFET, 20V, 5A, TO-236, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:3.9A, On Resistance Rds(on):0.025ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, MSL:-RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 D# NS-SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
24087 |
SI2312BDS-T1-GE3-LF D# NS-SI2312BDS-T1-GE3-LF |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1591 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 1837 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDST1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
54016 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
499985 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V pbFree: Pb-Free
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 |
Coilcraft Inc |
shipping today |
9551 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 D# 50959424 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2312BDS-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
107777 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
あなたは SI2312BDS-T1-GE3 についての質問がありますか？
+86-755-83210559-827
このページを表示するにはスキャンしてください
