* Please refer to the English Version as our Official Version.
| 部品番号 | SI3433BDV-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP |
| データシート | |
| パッケージ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
|
| 在庫 | 589,212 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | すぐに出荷可能 |
| 推定配達時間 | 5 8 - 5 13 (迅速な出荷を選択) |
| 見積もりを依頼する |
|
| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
|
| シリーズ | TrenchFET? |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.3A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 850mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.1W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
|
1825J1K50152KCT | Knowles Syfer, CAP CER 1500PF C0G/NP0 1825, 1825 (4564 Metric), TrenchFET? | 見る |
|
|
1812J0250183MXT | Knowles Syfer, CAP CER 0.018UF 25V X7R 1812, 1812 (4532 Metric), TrenchFET? | 見る |
|
S-1206B13-U3T1G | SII Semiconductor Corporation, IC REG LINEAR 250MA SOT89-3, TO-243AA, TrenchFET? | 見る |
|
|
AM5718AABCXEA | Texas Instruments, SITARA PROCESSOR, 760-BFBGA, FCBGA, TrenchFET? | 見る |
|
RNC55H1351DSB14 | Vishay Dale, RES 1.35K OHM 1/8W .5% AXIAL, Axial, TrenchFET? | 見る |
|
PTF65732R00FXR6 | Vishay Dale, RES 732 OHM 1/4W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | 見る |
|
CRCW06031K07FKEB | Vishay Dale, RES SMD 1.07K OHM 1% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), TrenchFET? | 見る |
|
|
1546980-5 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN BARRIER STRIP 5CIRC 0.438", -, TrenchFET? | 見る |
|
|
CA3100E14SA7PB05-14 | ITT Cannon, LLC, CONN RCPT 7POS WALL MNT W/PINS, -, TrenchFET? | 見る |
|
|
KJL7T9B98PNL | ITT Cannon, LLC, CONN RCPT HSNG MALE 3POS PNL MNT, -, TrenchFET? | 見る |
|
ISL5961IBZ | Renesas Electronics America, CONV D/A 14-BIT 3.3V 28-SOIC, 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), TrenchFET? | 見る |
|
|
XC6129N49F7R-G | Torex Semiconductor Ltd, VOLTAGE DETECTOR WITH DELAY TIME, -, TrenchFET? | 見る |
100％の顧客満足度を保証します。
経験豊富なセールスチームとテクニカルサポートチームがすべての顧客を満足させるためにサービスをサポートしています
90日間の保証を提供します。
あなたが受け取ったアイテムが完全な品質でないならば、我々はあなたの払い戻しまたは交換に対して責任があります、しかし、アイテムは彼らの元の状態で返されなければなりません。
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3433BDV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.3A, TSOP, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-4.3A, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):42mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-450mV , RoHS Compliant: Yes |
2810 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3433BDV-T1-GE3 D# SI3433BDV-T1-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3433BDVT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
71400 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3433BDV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3433BDV-T1-GE3 D# NS-SI3433BDV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
9858 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3433BDVT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
140016 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3433BDV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3433BDV-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
62996 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
あなたは SI3433BDV-T1-GE3 についての質問がありますか？
86-755-83210559-817
このページを表示するにはスキャンしてください
