| 部品番号 | SI4104DY-T1-E3 |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC |
| データシート | |
| パッケージ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| 在庫 | 62,652 piece(s) |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.6A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 13nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 446pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 105 mOhm @ 5A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4104DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4104DY-T1-E3 D# SI4104DY-T1-E3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 4.6A 8SO |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4104DY-T1-E3 D# SI4104DY-T1-E3 |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4104DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
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200 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4104DYT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4104DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
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89742 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4104DY-T1-E3 D# NS-SI4104DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
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5221 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4104DYT1E3 |
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12511 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4104DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
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SI4104DY-T1-E3 |
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SI4104DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
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