| 部品番号 | SI4322DY-T1-E3 |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC |
| データシート | |
| パッケージ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| 在庫 | 392,580 piece(s) |
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| リードタイム | すぐに出荷可能 |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 38nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1640pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8.5 mOhm @ 15A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4322DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:18A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.007ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.5V, Power Dissipation Pd:5.4W, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4322DY-T1-E3 D# SI4322DY-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4322DY-T1-E3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
17845 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4322DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
89742 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4322DY-T1-E3 D# NS-SI4322DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7359 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4322DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
89727 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4322DY-T1-E3 |
V |
RFQ |
2843 |
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