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部品番号 | SI4463BDY-T1-GE3 |
---|---|
メーカ | Vishay Siliconix |
説明 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC |
データシート | |
パッケージ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ECAD | |
在庫 | 7,136 piece(s) |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# V36:1790_09216502 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4463BDY-T1-GE3) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4463BDY-T1-GE3) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4463BDY-T1-GE3) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
P CHANNEL MOSFET, -20V, 13.7A, SOIC |
676 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# SI4463BDY-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO |
809 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# 1871351 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -20V, 13.7A, SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2460 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
in stock - can ship the same day |
2067 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
89742 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# 781-SI4463BDY-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V RoHS: Compliant
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2275 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# 26R1879 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -20V, 13.7A, SOIC, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:13.7A, On Resistance Rds(on):0.02ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# NS-SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
4527 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
2083 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
89727 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V pbFree: Pb-Free
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
11 |
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