| 部品番号 | SI4686DY-T1-E3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC |
| データシート | |
| パッケージ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| 在庫 | 1,203,804 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | すぐに出荷可能 |
| 推定配達時間 | 1 18 - 1 23 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18.2A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 26nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1220pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3W (Ta), 5.2W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
 
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 D# V36:1790_09215583 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 D# SI4686DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4686DY-T1-E3) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 D# SI4686DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4686DY-T1-E3) |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 D# SI4686DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4686DY-T1-E3) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 |
Vishay Semiconductors |
- Tape and Reel |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 D# SI4686DY-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO |
2480 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 D# SI4686DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
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1687 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
4260 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 D# 2335317 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 30V, 18.2A, SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Each
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DYT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
11900 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
8800000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 D# 781-SI4686DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V RoHS: Compliant
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5000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 D# NS-SI4686DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
5038 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 |
VISHAY INTERTECHNOLOGIES | 604 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DYT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
14844 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
8799985 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4686DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V pbFree: Pb-Free
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0 |
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