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部品番号 | SI5406DC-T1-GE3 |
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メーカ | Vishay Siliconix |
説明 | MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8 |
データシート | |
パッケージ | 8-SMD, Flat Lead |
ECAD | |
在庫 | 5,344 piece(s) |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5406DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
N CHANNEL MOSFET, 12V, 9.5A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:9.5A, Drain Source Voltage Vds:12V, On Resistance Rds(on):20mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:600mV, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes |
250 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5406DC-T1-GE3 D# SI5406DC-T1-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8 |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5406DC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5406DC-T1-GE3 D# NS-SI5406DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
9716 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5406DC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5406DC-T1-GE3 D# 1871367 |
Vishay Intertechnologies |
N CHANNEL MOSFET, 12V, 9.5A RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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0 |
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CONN USB MICRO B RECPT SMT R/A
IGBT 600V 200A 660W TO247
PTC RESETTABLE .75A 13.2V 1812
DIODE SCHOTTKY 40V SOD123
IC REG LINEAR NEG ADJ 1.5A TO3
SMD-6 SSR GULLWING 1 FORM B
CAP SUPER 470MF 5.5V 3-SMD
DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2
IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8SOIC
TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMB