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| 部品番号 | SI5458DU-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
| データシート | |
| パッケージ | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
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| 在庫 | 2,928 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 2 27 - 3 4 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 9nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 325pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.5W (Ta), 10.4W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 41 mOhm @ 7.1A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPak? ChipFet (3x1.9) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
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SIT8209AI-33-28E-166.666660X | SiTime, -40 TO 85C, 5032, 50PPM, 2.8V, 1, -, TrenchFET? | 見る |
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TAP155M035SRW | AVX Corporation, CAP TANT 1.5UF 35V 20% RADIAL, Radial, TrenchFET? | 見る |
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2220Y0250472JFR | Knowles Syfer, CAP CER 4700PF 25V C0G/NP0 2220, 2220 (5750 Metric), TrenchFET? | 見る |
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UPM1K390MPD1TD | Nichicon, CAP ALUM 39UF 20% 80V RADIAL, Radial, Can, TrenchFET? | 見る |
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JAN1N5552US | Microsemi Corporation, DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF, SQ-MELF, B, TrenchFET? | 見る |
 
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TLV2781IDR | Texas Instruments, IC OPAMP GP 8MHZ RRO 8SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), TrenchFET? | 見る |
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CF1JT22R0 | Stackpole Electronics Inc., RES 22 OHM 1W 5% AXIAL, Axial, TrenchFET? | 見る |
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SCRH62-6R3 | Signal Transformer, FIXED IND 6.3UH 1.62A 100 MOHM, Nonstandard, TrenchFET? | 見る |
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FLVDDF2-250A(S) | JST Sales America Inc., CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250, -, TrenchFET? | 見る |
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DWM-11-01-T-D-330 | Samtec Inc., .050" BOARD SPACERS, -, TrenchFET? | 見る |
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TV06DZ-19-32JA-LC | Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG HSG FMALE 32POS INLINE, -, TrenchFET? | 見る |
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VE-B1B-IV-B1 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 95V 150W, Full Brick, TrenchFET? | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5458DU-T1-GE3 D# SI5458DU-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R - Tape and Reel (Alt: SI5458DU-T1-GE3) |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5458DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
N CHANNEL MOSFET, 30V, 6A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:6A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):41mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power Dissipation Pd:3.5W , RoHS Compliant: Yes |
2999 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5458DU-T1-GE3 D# SI5458DU-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 6A CHIPFET |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5458DU-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Si5458DU Series N-Channel 30 V 0.041 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK® ChipFET RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5458DU-T1-GE3 D# 781-SI5458DU-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET RoHS: Compliant
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2051 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5458DU-T1-GE3 D# 35R0081 |
Vishay Intertechnologies |
N CHANNEL MOSFET, 30V, 6A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:6A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):41mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs Typ:3V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5458DU-T1-GE3 D# NS-SI5458DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3037 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5458DU-T1-GE3 D# 1781664 |
Vishay Intertechnologies |
N CHANNEL MOSFET, 30V, 6A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
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