| 部品番号 | SI5855DC-T1-E3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 |
| データシート | |
| パッケージ | 8-SMD, Flat Lead |
| ECAD |
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| 在庫 | 70,116 piece(s) |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | 8-SMD, Flat Lead |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET? |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.7A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
| 消費電力（最大） | 1.1W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET? |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5855DC-T1-E3 |
Vishay Siliconix | 440 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5855DC-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
Min Qty 6 |
12000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5855DC-T1-E3 D# SI5855DC-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5855DCT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1173 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5855DC-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5855DC-T1-E3 D# NS-SI5855DC-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
5874 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5855DC-T1-E3 |
Vishay Semiconductors |
2700mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
352 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5855DCT1E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7799 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5855DC-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5855DC-T1-E3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
21 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5855DC-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
RFQ |
1282 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI5855DC-T1-E3 |
Vishay Huntington |
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 |
3000 |
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