| 部品番号 | SIE812DF-T1-E3 |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK |
| データシート | |
| パッケージ | 10-PolarPAK? (L) |
| ECAD |
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| 在庫 | 5,424 piece(s) |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | 10-PolarPAK? (L) |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 170nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8300pF @ 20V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 10-PolarPAK? (L) |
| パッケージ/ケース | 10-PolarPAK? (L) |
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73550401001 | HARTING, HAN-PORT PROGRAMMING PORT, -, TrenchFET? | 見る |
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ACM12DTBD | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156, -, TrenchFET? | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE812DF-T1-E3 D# SIE812DF-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 10-Pin PolarPAK T/R - Tape and Reel (Alt: SIE812DF-T1-E3) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE812DF-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE812DF-T1-E3 D# SIE812DF-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE812DFT1E3 |
SILICONIX (VISHAY) |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3570 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE812DF-T1-E3 D# NS-SIE812DF-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
5228 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE812DFT1E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3016 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE812DF-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 40V 60A 125W 2.6mohm @ 10V pbFree: Pb-Free
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE812DF-T1-E3 D# 1497643 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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