| 部品番号 | SIE830DF-T1-E3 |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK |
| データシート | |
| パッケージ | 10-PolarPAK? (S) |
| ECAD |
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| 在庫 | 8,652 piece(s) |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | 10-PolarPAK? (S) |
| ECAD |
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| シリーズ | WFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 115nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5500pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.2 mOhm @ 16A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 10-PolarPAK? (S) |
| パッケージ/ケース | 10-PolarPAK? (S) |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE830DF-T1-E3 |
Vishay Semiconductors |
- Tape and Reel |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE830DF-T1-E3 D# SIE830DF-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE830DFT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3570 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE830DF-T1-E3 D# NS-SIE830DF-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
5433 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE830DFT1E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3016 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE830DF-T1-E3 |
Maxim Integrated Products |
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532 |
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