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部品番号 | SIE882DF-T1-GE3 |
---|---|
メーカ | Vishay Siliconix |
説明 | MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK |
データシート | |
パッケージ | 10-PolarPAK? (L) |
ECAD | |
在庫 | 2,848 piece(s) |
単価 | Request a Quote |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE882DF-T1-GE3 D# V36:1790_09215717 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 229A 10-Pin PolarPAK T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE882DF-T1-GE3 D# SIE882DF-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 47A 10-Pin PolarPAK T/R - Tape and Reel (Alt: SIE882DF-T1-GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE882DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE882DF-T1-GE3 D# SIE882DF-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK |
2975 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE882DFT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
74970 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE882DF-T1-GE3 D# 35R6190 |
Vishay Intertechnologies |
N CHANNEL MOSFET, 25V, 60A, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:25V, Continuous Drain Current Id:60A, On Resistance Rds(on):0.0014ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE882DF-T1-GE3 D# NS-SIE882DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6523 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE882DFT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3016 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIE882DF-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 25V Vds 20V Vgs PolarPAK pbFree: Pb-Free
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0 |
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86-755-83210559-841
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