| 部品番号 | SIHB15N60E-GE3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 15A DPAK |
| データシート | |
| パッケージ | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
|
| 在庫 | 8,496 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | すぐに出荷可能 |
| 推定配達時間 | 11 7 - 11 12 (迅速な出荷を選択) |
| 見積もりを依頼する |
|
| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
|
| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 78nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1350pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 180W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 280 mOhm @ 8A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
|
SIT8208AI-GF-28S-48.000000T | SiTime, -40 TO 85C, 2520, 10PPM, 2.8V, 4, -, - | 見る |
|
ASV2-48.000MHZ-R-L1-T | Abracon LLC, OSC XO 48.000MHZ HCMOS SMD, 4-SMD, No Lead, - | 見る |
|
|
40D305F150CC2 | Vishay Sprague, CAP ALUM 3UF 150V AXIAL, -, - | 見る |
|
AN80L29RMS | Panasonic Electronic Components, IC REG LINEAR 2.9V 150MA MINI5D, SC-74A, SOT-753, - | 見る |
|
PCF51AC128ACLKE | NXP, IC MCU 32BIT 128KB FLASH 80LQFP, 80-LQFP, - | 見る |
|
2213627-4 | TE Connectivity AMP Connectors, ASSEMBLY, ROT DIM REC 49.22MM 7, -, - | 見る |
|
|
7101SY9ZQE | C&K, SWITCH TOGGLE SPDT 5A 120V, -, - | 見る |
|
|
IHSM4825PJ1R0L | Vishay Dale, FIXED IND 1UH 8.6A 13 MOHM SMD, Nonstandard, - | 見る |
|
350-80-103-00-006101 | Preci-Dip, CONN HDR 3POS T/H 0.100 TIN, -, - | 見る |
|
|
T2050462101-000 | TE Connectivity AMP Connectors, HEE-046-M, -, - | 見る |
|
|
MS3470W22-55PW | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN RCPT 55POS FLANGE W/PINS, -, - | 見る |
|
ISL55191IBZ | Renesas Electronics America, IC OPAMP VFB 800MHZ RRO 8SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), - | 見る |
100％の顧客満足度を保証します。
経験豊富なセールスチームとテクニカルサポートチームがすべての顧客を満足させるためにサービスをサポートしています
90日間の保証を提供します。
あなたが受け取ったアイテムが完全な品質でないならば、我々はあなたの払い戻しまたは交換に対して責任があります、しかし、アイテムは彼らの元の状態で返されなければなりません。
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 D# V36:1790_09219015 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 D# 67W0170 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Bulk (Alt: 67W0170) RoHS: Compliant
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 D# SIHB15N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: SIHB15N60E-GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, N CH, 600V, 15A, DPAK |
216 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
N VDS=600V VGS=30V ID=15A P=180W |
25 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB RoHS: Compliant
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 D# SIHB15N60E-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK |
375 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
1000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 D# 2291552 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 600V, 15A, DPAK RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
447 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60EGE3 |
VISHAY SILICONIX |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1107 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 D# 78-SIHB15N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) RoHS: Compliant
|
1140 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 D# 68W7033 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-263-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:15A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):0.23ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
300 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 D# NS-SIHB15N60E-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
2369 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 D# 7689304 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB15N60E-GE3, EA Min Qty: 1
Container: Bulk
|
804 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
916 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) pbFree: Pb-Free
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 D# 26747705 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB15N60E-GE3 D# 2291552 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 600V, 15A, DPAK RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
441 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
あなたは SIHB15N60E-GE3 についての質問がありますか？
86-755-83210559-802
このページを表示するにはスキャンしてください
