| 部品番号 | SIHB30N60E-GE3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| データシート | |
| パッケージ | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 在庫 | 13,656 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
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| 推定配達時間 | 11 28 - 12 3 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 29A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 130nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2600pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 250W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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1206CC220KAJ1A | AVX Corporation, CAP CER 22PF 630V X7R 1206, 1206 (3216 Metric), - | 見る |
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1206J2500104MDR | Knowles Syfer, CAP CER 0.10UF 250V X7R 1206, 1206 (3216 Metric), - | 見る |
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1206J0160562MXR | Knowles Syfer, CAP CER 1206, 1206 (3216 Metric), - | 見る |
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8N4SV76LC-0181CDI8 | IDT, Integrated Device Technology Inc, IC OSC VCXO 66MHZ 6CLCC, 6-CLCC, - | 見る |
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P6SMB56A R5G | TSC America Inc., DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 600W, DO-214AA, SMB, - | 見る |
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BR230-290A1-28V-019M | Microsemi Corporation, RELAY, -, - | 見る |
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RNC55H70R6BSB14 | Vishay Dale, RES 70.6 OHM 1/8W .1% AXIAL, Axial, - | 見る |
 
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RG1608N-161-W-T5 | Susumu, RES SMD 160 OHM 0.05% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), - | 見る |
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ELJ-FA5R6JF | Panasonic Electronic Components, FIXED IND 5.6UH 160MA 1.6 OHM, 1210 (3225 Metric), - | 見る |
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1900057 | Phoenix Contact, TERM BLOCK HDR 23POS 90DEG 5MM, -, - | 見る |
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ESQT-107-02-F-Q-800 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, - | 見る |
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97-3108B28-15PZ | Amphenol Industrial Operations, AB 35C 35#16 PIN PLUG, -, - | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60E-GE3 D# V36:1790_09219022 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60E-GE3 D# SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: SIHB30N60E-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60E-GE3 D# SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: SIHB30N60E-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 1000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Semiconductors |
- Rail/Tube |
500 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60E-GE3 D# SIHB30N60E-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
305 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60E-GE3 D# 2079779 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1190 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60E-GE3 D# 78-SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) RoHS: Compliant
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453 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60E-GE3 D# NS-SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1409 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60E-GE3 D# 7689310 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB30N60E-GE3, EA Min Qty: 1
Container: Bulk
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251 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
2444 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) pbFree: Pb-Free
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIHB30N60E-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
20 |
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