| 部品番号 | SIHU6N80E-GE3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | E |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 800 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.4A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 827 pF @ 100 V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 78W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 940mOhm @ 3A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | IPAK (TO-251) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
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