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| 部品番号 | SIR826DP-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
| データシート | |
| パッケージ | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
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| 在庫 | 4,896 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | すぐに出荷可能 |
| 推定配達時間 | 5 3 - 5 8 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 80V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.8V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 90nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2900pF @ 40V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK? SO-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK? SO-8 |
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SIT8208AI-83-28E-24.576000X | SiTIME, -40 TO 85C, 7050, 50PPM, 2.8V, 2, -, TrenchFET? | 見る |
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SIT1602BI-23-30N-19.200000E | SiTIME, -40 TO 85C, 3225, 50PPM, 3.0V, 1, -, TrenchFET? | 見る |
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1812GA330JAT1A | AVX Corporation, CAP CER 33PF 2KV NP0 1812, 1812 (4532 Metric), TrenchFET? | 見る |
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AS1311-BTDT | ams, IC REG BOOST 1.8V 0.32A 8TDFN, -, TrenchFET? | 見る |
 
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MAX1623EAP+ | Maxim Integrated, IC REG BUCK ADJ/PROG 3A 20SSOP, 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width), TrenchFET? | 見る |
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PC28F512P30EFB | Micron Technology Inc., IC FLASH, -, TrenchFET? | 見る |
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OPA2301AID | Texas Instruments, IC OPAMP VFB 150MHZ 8SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), TrenchFET? | 見る |
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4420.0227 | Schurter Inc., CIR BRKR THRM MAG 12A 480V 65V, -, TrenchFET? | 見る |
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59140-4-T-03-F | Littelfuse Inc., SENSOR WIRE LEADS, Rectangular, Wire Leads, TrenchFET? | 見る |
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WPMM1A01A | Honeywell Sensing and Productivity Solutions, WIRELESS PANEL MNT MONITOR, -, TrenchFET? | 見る |
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RLR07C1201GPBSL | Vishay Dale, RES 1.2K OHM 2% 1/4W AXIAL, Axial, TrenchFET? | 見る |
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50644-1540E | Amphenol FCI, 4 ROW R/A RECEPTACLE PRESS, -, TrenchFET? | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DPT1GE3 D# V36:1790_09216024 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 D# SIR826DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SIR826DP-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 D# SIR826DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SIR826DP-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET |
9000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
PowerPAK SO-8 MOSFET RoHS |
6 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 D# SIR826DP-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
2881 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
211 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 D# 2056698RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, DIO, 80V, 60A, PPK SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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6000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
10710 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 D# C511021 |
Vishay Intertechnologies | 6 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 D# XSFT00000048410 |
Vishay Siliconix |
SiR826DP Series 80 V 4.8 mOhm 60 nC SMT N-Channel MOSFET - POWERPAK-SO-8 |
6000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3. D# 15AC4249 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:80V, Continuous Drain Current Id:60A, On Resistance Rds(on):0.004ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.2V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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3000 |
SIR826DP-T1-GE3 D# 94T2658 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 80V, 60A, POWERPAK SO-8, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:80V, Continuous Drain Current Id:60A, On Resistance Rds(on):0.004ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 D# NS-SIR826DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6151 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
9016 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET pbFree: Pb-Free
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0 |
SIR826DP-T1-GE3. |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET pbFree: Pb-Free
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
16 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DPT1GE3 D# 53048694 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIR826DP-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
2000 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
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