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| 部品番号 | SIS110DN-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 66,669 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 3 10 - 3 15 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.2A (Ta), 14.2A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 7.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 550 pF @ 50 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.2W (Ta), 24W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 54mOhm @ 4A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
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