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部品番号 | SIS424DN-T1-GE3 |
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メーカ | Vishay Siliconix |
説明 | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 |
データシート | |
パッケージ | PowerPAK? 1212-8 |
ECAD |
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在庫 | 11,592 piece(s) |
単価 | Request a Quote |
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推定配達時間 | 7 1 - 7 6 (迅速な出荷を選択) |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS424DN-T1-GE3 D# SIS424DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SIS424DN-T1-GE3) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS424DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
3000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS424DN-T1-GE3 D# SIS424DN-T1-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS424DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
3000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS424DNT1GE3 |
Vishay Semiconductors |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3570 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS424DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
3000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS424DN-T1-GE3. D# 61AC1927 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:19.6A, On Resistance Rds(on):0.0053ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS424DN-T1-GE3 D# NS-SIS424DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1214 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS424DNT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3016 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS424DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
3015 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS424DN-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
116 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS424DN-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 |
870 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
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