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| 部品番号 | SIS430DN-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 |
| データシート | |
| パッケージ | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| 在庫 | 31,104 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | すぐに出荷可能 |
| 推定配達時間 | 3 1 - 3 6 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 40nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1600pF @ 12.5V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 5.1 mOhm @ 20A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK? 1212-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK? 1212-8 |
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1812Y1000101KCT | Knowles Syfer, CAP CER 100PF 100V C0G/NP0 1812, 1812 (4532 Metric), TrenchFET? | 見る |
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C335C102KAG5TA7301 | KEMET, CAP CER 1000PF 250V C0G RADIAL, Radial, TrenchFET? | 見る |
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MAX14803CXB+T | Maxim Integrated, IC SWITCH SPST CTBGA, -, TrenchFET? | 見る |
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P6SMAJ48ADF | Diodes Incorporated, TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORD-FLAT, -, TrenchFET? | 見る |
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B82477G4683M000 | EPCOS (TDK), FIXED IND 68UH 2.1A 120 MOHM SMD, Nonstandard, TrenchFET? | 見る |
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929500-01-08 | 3M, CONN HEADER .100 SNGL R/A 8POS, -, TrenchFET? | 見る |
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D38999/24ZD5SA | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP, -, TrenchFET? | 見る |
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MKJ3B7F8-13SN | ITT Cannon, LLC, CONN RCPT 13POS JAM NUT W/SKTS, -, TrenchFET? | 見る |
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MS27656T19B35PB | Souriau, CONN RCPT 66POS WALL MNT W/PINS, -, TrenchFET? | 見る |
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MS27466T13B98B | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN RCPT HSG FMALE 10POS PNL MT, -, TrenchFET? | 見る |
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983-0S18-14S6-L | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN RCPT HSG FMALE 14POS PNL MT, -, TrenchFET? | 見る |
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MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc., IC FRAM 256K SPI 33MHZ 8SOP, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), TrenchFET? | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS430DN-T1-GE3 D# 70616571 |
Vishay Siliconix |
SIS430DN-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 21 A, 25 V, 8-Pin PowePAK 1212 RoHS: Not Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS430DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 1899 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS430DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS430DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 21.5A I(D), 25V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS430DN-T1-GE3 D# SIS430DN-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS430DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
2940 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS430DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
42915 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS430DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
2940 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS430DN-T1-GE3 D# NS-SIS430DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
9283 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS430DN-T1-GE3 D# 8141308 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel MOSFET, 21 A, 25 V, 8-Pin PowePAK 1212 Vishay SIS430DN-T1-GE3, TA Min Qty: 10
Container: Ammo Pack
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3803 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS430DNT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
39079 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS430DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
2955 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SIS430DN-T1-GE3 |
NCTNUVOTON |
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468 |
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