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SUD35N10-26P-GE3

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部品番号 SUD35N10-26P-GE3
メーカ Vishay Siliconix
説明 MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
データシート SUD35N10-26P-GE3 データシート
パッケージ TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
在庫 85,832 piece(s)
単価 $ 1.0395 *
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SUD35N10-26P-GE3の仕様

メーカVishay Siliconix
範疇ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
データシート SUD35N10-26P-GE3データシート
パッケージTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
シリーズTrenchFET?
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)35A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)7V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id4.4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs47nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds2000pF @ 12V
Vgs(最大)��20V
FET機能-
消費電力(最大)8.3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs26 mOhm @ 12A, 10V
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤデバイスパッケージTO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケースTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SUD35N10-26P-GE3のデータシート

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