| 部品番号 | TJ8S06M3L-LXHQ |
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| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 説明 | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 10,179 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
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| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | U-MOSVI |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 890 pF @ 10 V |
| Vgs（最大） | +10V, -20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 27W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 104mOhm @ 4A, 10V |
| 動作温度 | 175°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK+ |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
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