| 部品番号 | TK22V65X5-LQ |
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| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 説明 | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 7,500 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 11 17 - 11 22 (迅速な出荷を選択) |
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| 配達サービス |
| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | DTMOSIV-H |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 1.1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2400 pF @ 300 V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 180W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 170mOhm @ 11A, 10V |
| 動作温度 | 150°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-DFN-EP (8x8) |
| パッケージ/ケース | 4-VSFN Exposed Pad |
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